LED光源

LED光源是比高压电源更安全的电源,特别适用于公共场所。

与具有相同功效的白炽灯相比,能耗降低了80 [%]。

每个单元LED芯片是3mm-5mm的正方形。

它可以制成各种形状的装置,适用于各种环境。

寿命很长,大约100,000小时后,光衰减到最初的50 [%]。

响应时间很短,以纳秒为单位。

无有害金属,清洁环保。

颜色可以随意改变,并且可以通过化学改性方法实现诸如黄红绿蓝橙色的多色光。

1.根据发光管的发光颜色:红色,橙色,绿色,蓝色等。

此外,一些LED包含两到三种颜色的芯片。

2,根据光泽表面的特点:圆形,方形灯,矩形,表面光管,侧管,微管表面安装。

3,根据发光管的结构:全环氧树脂封装,金属基环氧树脂封装,陶瓷基环氧树脂封装和玻璃封装等结构。

4.根据发光强度和工作电流:普通亮度LED,高亮度LED,超高亮度LED。

半导体材料的导电性质在导体和绝缘体材料之间。

它的独特之处在于,当外部光和热条件刺激半导体时,其导电率发生显着变化;在纯半导体中加入少量杂质,其导电性也会显着增加。

现代电子学中使用最广泛的半导体是硅(Si)和锗(Ge)。

他们最外面的电子是四个。

当硅或锗原子形成晶体时,相邻的原子相互作用,使外电子成为两个原子的共同原子,在晶体中形成共价键结构,这是一种结合能力很小的分子结构。

在室温(300K)下,由于热激发,一些最外层的电子获得足够的能量以从共价键脱离成自由电子。

该过程称为内在激发。

在电子不能结合成自由电子之后,共价键中留下空位。

这个空位被称为洞。

孔的出现是区分半导体和导体的重要特征。

由于共价键中存在空穴,相邻的价电子在施加的电场或其他能源的作用下填充空穴,并且在电子的原始位置形成新的空穴,然后其他电子被转移到这个新洞已经开启。

这产生一定的电荷转移。

我们可以通过下式计算本征半导体中自由电子的浓度:ni(T)= AT3 / 2e-EG / 2kT其中EG是电子断开自由共价键。

所需的能量,以eV(电子伏特)表示,也称为带隙; T - 温度; A - 系数; k - 玻尔兹曼常数(1.38×10-23J / K); e - 自然对数的底部。

由于本征半导体中的自由电子和空穴成对出现,因此该计算公式也可用于表示空穴的浓度。

半导体中自由电子(或空穴)的浓度越高,电导率越强。

在常温附近,每升高8℃,硅的自由电子浓度增加1倍;温度每增加12°C,温度就会自由。

电子浓度增加了两倍。

在本征半导体中加入少量的五价杂质如磷,在与其他半导体原子形成共价键后,它将具有多余的电子。

这种额外的电子可以仅通过非常少量的能量而不受结合。

自由电子,这种杂质半导体被称为电子半导体(N型半导体)。

少量的三价元素杂质(例如硼)被添加到本征半导体中,因为它在外层上仅具有三个电子,并且与周围的半导体原子的共价键将在晶体中产生空位。

半导体被称为空穴半导体(P型半导体)。

在N型和P型半导体组合之后,自由电子和空穴的浓度差异发生在它们的结处,因此电子和空穴扩散到低浓度,留下一些带电但不可移动的。

离子,破坏N和P区域的原始电中性。

这些不可移动的带电粒子通常被称为空间电荷,并且它们集中在N和P区域之间的界面上以形成非常薄的空间电荷区域,这就是我们所谓的PN结。

当在PN结(P型正电压的正侧)上施加正向偏压时,空穴和自由电子彼此移动以形成内部电场。

然后,新注入的空穴和自由电子重新组合,同时,多余的能量有时以光子的形式释放,光子是我们看到的LED发出的光。

这样的光谱范围相对较窄。

由于每种材料的禁带宽度不同,发射的光子波长也不同,因此LED光的颜色由所用的基本材料决定。

led光源被广泛使用,涉及现代社会的各个方面:住宅照明市场,汽车市场,背光市场,交通灯市场,户外大屏幕显示器,特种代理照明和军事用途,以及玩具娱乐。

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高压电力电容器是一类重要的电力设备,主要由出线瓷套管、电容元件组和外壳等组成。它具有耗损低、质量轻的特点,广泛应用于提高输电线路的输送能力、改善电力系统的功率因数等方面。高压电容器外壳由薄钢板密封焊接而成,电容元件组由若干个电容元件连接而成,这些元件通常由电容器纸、膜纸复合或纯薄膜作为工作介质,用铝铂作极板卷制而成。低压电力电容器是额定电压在1000V及以下,用于交流电路中的电容器。它广泛应用于电力系统、工业生产和民用领域,主要用于谐波滤波、无功补偿、提高系统功率因数等方面。低压电力电容器具有体积小、容量大、效率高、损耗低、寿命长等特点,能有效消除谐波、提高电源质量、降低供电成本。

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